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具有快速開關和低VCESAT 的1200 V碳化矽雙極性電晶體

在SiC功率開關中，MOSFET、JFET和雙極性電晶體(bipolar junction ... 因為BJT的儲存電荷非常少，可以推動BJT進入深度飽和，而無開關速度的損失。

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