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比較四種開關元件的效率 - 電子工程專輯

電晶體BJT 2N3055：VCE：100V、IC：7A、P：115W、 Tj：200℃，beta：70; MOSFET Si IRF530：VDS：100V、Rds(on)：0.18Ω、Id：14A、P：75W、Tj： 150℃ ...

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