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智慧型IGBT驅動與保護電路之設計與研製 - 博碩士論文網

由於功率元件IGBT具有功率金氧半場效電晶體(Power MOSFET)高切換速度和雙載子功率電晶體(Power BJT)耐高壓及低導通壓降的特性，並且尚有較大之安全工作區域和短路容忍 ...

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