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BJT、MOSFET、IGBT性能對比 - 拓墣產業研究院

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱絕緣柵雙極型電晶體. ... 來看，IGBT是由BJT和MOSFET組成的複合功率半導體器件，不僅具有MOSFET開關速度 ...

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