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以草酸溶液作MESFET AlAs/GaAs 磊晶選擇性侵蝕的研究

我們使用三種不同的蝕刻溶液C6H8O7.H2O/H2O2,C6H8O7/H2O2,C4H6 O4/NH4OH/H2O2對GaAs/AlAs及GaAs/Al0.32Ga0.68As結構做選擇性蝕刻的研究.並將最後所得到的結果應用在 ...

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