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14A cvd
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https://patents.google.com/patent/CN1861837A/zh
CN1861837A - 用于沉积多晶硅的cvd装置 - Google Patents
本发明公开了一种用于沉积多晶硅且不需要单独的后续退火工艺的CVD装置,该CVD装置包括:室,用于在基底上形成薄膜;喷头,位于室的上部,以将反应气体注入到基底上; ...
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