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先進製程缺陷檢測設備及性能測試標準樣本製作技術

因此生產次10 奈米半間距技術節點之元件很可能. 需要次世代微影技術(Next Generation Lithography). 的參與。根據2015 年國際半導體技術藍圖[2] 的.

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