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一种高介电常数材料栅结构及其制备工艺 - Google

本发明为一种高介电常数材料栅结构及其制备工艺。在硅片表面氧化生长一非常薄的氮氧化硅层作为高介电常数材料与硅衬底之间的界面缓冲区，以便有效隔离高介电常数材料中 ...

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