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以分子束磊晶成長高介電常數氧化鉿之金氧半電容及金氧半場效 ...

本實驗室使用分子束磊晶(MBE)的方法在矽晶片上成長HfO2高介電常數(□ = 15)氧化層，且HfO2與矽晶片之間並無任何的二氧化矽或其它的矽氧化物產生，這是在此領域第一次 ...

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