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新電子 09月號/2018 第390期 - 第 55 頁 - Google 圖書結果

此外,使用傳統的基於矽 IGBT的技術來表徵碳化矽MOSFET的開關特性可能由於測量探針頻寬不足、設備不充分等而導致關於開關損耗的錯誤結論。動態表徵平台(DCP)旨在通過雙 ...

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