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霍尔测量中具有两个导电通道的AlGaN / GaN型高电子迁移率 ...

在从77到420 K的宽温度范围内进行霍尔测量，可得到薄层电阻率，薄层载流子浓度和异质结构的电子迁移率。基于等效电路的AlGaN / GaN型HEMT异质结构中的多层输运理论模型 ...

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