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n-Ge 中单峰型反常霍尔效应的理论研究

常温度, Ge 中的反常霍尔效应可分为超低温(10K) [1～ 3 ]、低温(190K) [4] 和常温(300K) [5] ... 其中nC 和nD 是导带及杂质能带中电子的浓度; ΛC 和ΛD 为相应的迁移率.

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