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超低導通電阻Nch MOSFET 提高應用設備效率 - 電子工程專輯

另一方面，導通電阻和Qgd是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對於普通的MOSFET而言，由於導通電阻與晶片尺寸成反比，Qgd會成比例增加，因此很難 ...

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