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东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET

... 设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的单位面积 ... 栅极-漏极电荷Qgd（nC）.

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