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器件专门用于标准栅极驱动电路，栅极电荷低至22.5 nC - Vishay

Vishay推出RDS（ON）为4 mΩ占位面积3.3 mm 2 的60 V MOSFET提高效率和功率密度 ... Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET ® 第四代n沟道功率MOSFET， ...

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