你即將離開本站

並前往https://books.google.com.tw/books?id=SDJsDwAAQBAJ&pg=PA243&lpg=PA243&dq=%E9%9B%BB%E6%BC%BF%E8%9D%95%E5%88%BB%E6%AD%A5%E9%A9%9F&source=bl&ots=-0MOX8GOa3&sig=ACfU3U2PG9LhdOopWsgFX-l_PSKY04DdxQ&hl=zh-TW&sa=X&ved=2ahUKEwins_3A4t7_AhWTHXcKHZibAVAQ6AF6BQioARAD

半導體製程設備技術 - 第 243 頁 - Google 圖書結果

選用氟碳比接近2的反應物可於電漿激發後,引發高分子串接反應形成類似鐵氟龍物質 ... 大幅減少基板偏壓進行高速的等向性化學蝕刻(步驟2);最後切換至C 4F8的反應氣氛產生 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「電漿蝕刻步驟」的人也找了：

  1. 乾蝕刻步驟
    2.
  2. 蝕刻製程ppt
    3.
  3. icp蝕刻原理
    4.
  4. 乾蝕刻濕蝕刻比較
    5.
  5. rie蝕刻原理
    6.
  6. 電漿蝕刻氣體
    7.
  7. 感應耦合電漿蝕刻
    8.
  8. 電漿蝕刻優點
    9.