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TW201709321A - 乾式蝕刻方法 - Google Patents

本發明之乾式蝕刻方法之特徵在於：其係對形成於基板上之矽氧化物層與矽氮化物層之積層膜，介隔形成於上述積層膜上之遮罩，進行使乾式蝕刻劑電漿化並施加500V以上之偏壓 ...

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