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電漿蝕刻在VLSI製程之應用(一)

針對ARC/SiO¬/SiN/Si多層結構高縱深比. 蝕刻,目前常見的方法為以電容耦合電漿. (CF蝕刻氣體)作光阻蝕刻,再利用He/O,低. 能量電漿去除殘餘物。這一步驟稱為“De- scum”。接 ...

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