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感應耦合電漿離子蝕刻製程應用於光通訊元件之開發研究

之後將定義好遮罩之矽晶片放置在感應耦. 合電漿蝕刻機中，進行蝕刻。蝕刻步驟如下：第一. 步驟，利用ASE 蝕刻機制，非等向性往下蝕刻，. 此步驟決定微結構之厚度。

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