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半導體製程技術 - 聯合大學

▫ 發展氮化矽取代二氧化矽做為鈍化氧化層. ▫ 相對低溫下有高的沉積速率. ▫ 射頻在沉積氣體中感應電漿場. ▫ 射頻控制沉積 ...

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