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採用增强型矽基氮化鎵功率場效應電晶體(eGaN FET) - EPC Co
從圖4可以看到,要全面增强元件的通道,在閘極和源極之間可以施加4 V或以上的電壓,同時在閘極至源極電壓的絕對最大值爲6 V。與功率MOSFET一樣,等效的閘極電路具備低閘極 ...
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