閘極無電流較小. iC=αiE=βiB. 飽和區vGS>Vtn vDS ≥ vGS-Vtn. 主動模式vGS ≈ 0.7V vCE>0.3V. 5. 場效應電晶體MOSFET. 增強型NMOS. chapter.
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