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電晶體飽和區判斷
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http://etd.lib.nsysu.edu.tw/ETD-db/ETD-search/getfile?URN=etd-0705113-144753&filename=etd-0705113-144753.pdf
具有埋藏氧化層的垂直式金氧半場效應電晶體 - 國立中山大學
而VTH 稱為臨限電壓,此電壓值則是判斷半導體表面是否由空乏模式開始聚集少數 ... 垂直式電晶體,其最大閘極轉導及飽和區汲極轉導進行數值統計,可以發現到,.
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