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電晶體選擇
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高頻小功率電晶體設計 - 人人焦點
① 晶片橫向結構參數設計. 產品發射區結構設計爲梳狀結構。電晶體版圖中發射區半寬度選擇爲30μm。充分考慮器件低飽和壓降要求和生產經驗,非工作基區 ...
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