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I3T50: 0.35 µm 工艺技术 - 安森美

3至5层金属; 金属-绝缘体-金属(MIM)线性电容; 高压金属电容; 高电阻多晶硅电阻; 两种类型的中等 ... 用于OTP的击穿齐纳二极管：Z224, 典型值, 单位 ... C, 1.5, fF/µm².

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