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矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討

圖中表示,應變矽鍺成長在矽上的電洞濃度比純矽的電洞濃. 度高至2~3倍,因為矽鍺壓縮形變擁有高的電洞遷移率,使得P-type 和N-type 兩者更容易整合,. 也讓未來更加有希望擁有 ...

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