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電子電洞遷移率
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歐洲研究人員發現提升電晶體性能的新方法 - 電子工程專輯.
來自法國與瑞士的研究人員已經證實,若在製程中施加比過去更高的應力(stresses),可將p型矽的電洞遷移率(hole mobility)提升至先前認為不可能的程度; ...
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