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高電子遷移率電晶體高頻參數萃取與微波模型建立 - 逢甲大學

在1981 年，典型AlGaAs/GaAs 高電子移動率電晶體能. 提高速度，高增益及在微波元件有出色的功率特性。自從1986. 年，假晶性結構HEMT 發展的非常迅速。其中利用InGaAs. 材料 ...

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