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半導體材料掀革命10nm製程改用鍺/III-V元素 - Semi.org

其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與 ... 或擠壓電晶體通道，進而強化電洞遷移率(Hole Mobility)和電子遷移率(Electron ...

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