你即將離開本站

並前往https://patents.google.com/patent/TWI459556B/zh

TWI459556B - 具彈性邊緣鬆馳之應變矽 - Google Patents

相對於非應變矽，雙軸、平面內、拉伸應變矽展現增強的平面內電子及電洞遷移率，從而引起改良的n通道及p通道MOS場效電晶體(FET)效能。遷移率增強由於減小的有效載子質量 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「電子電洞遷移率」的人也找了：

  1. 電子電洞mobility
    2.
  2. 電子電洞速度
    3.
  3. 電子遷移率公式推導
    4.
  4. 電子遷移率大小
    5.
  5. 電子遷移率影響
    6.
  6. 電子遷移率計算
    7.
  7. 載子遷移率公式
    8.
  8. 半導體電子遷移率
    9.