在元件上方沉積一層Nitride 接觸蝕刻停止層,其結構SEM 圖如圖2-29. 所示;利用CESL 應力源的拉伸或是壓縮應力分別用以改善通道中之電子與. 電洞遷移率。如同2.3.3 節所述 ...
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