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軍用射頻關鍵元組件技術開發研究成果報告(完整版)

常適合製作成高功率氮化鎵之高電子遷移率電晶體之元件。 本研究首先通過利用較便宜的藍寶石基板來找出氮化鎵高電. 子遷移率電晶體材料的成長參數，再把AlGaN/GaN HEMT ...

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