你即將離開本站

並前往https://www.eettaiwan.com/20220830ta51-drain-current-characteristics-of-enhancement-mode-gan-hemt/

增強型GaN HEMT的汲極電流特性 - 電子工程專輯

MIS結構具有受電壓驅動的小閘極漏電流，而GIT則具有脊形結構和高閾值電壓... 基於氮化鎵(GaN)的增強型高電子遷移率電晶體(HEMT)可以採用兩種 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「電子遷移率大小」的人也找了：

  1. 電子遷移率公式
    2.
  2. 載子遷移率
    3.
  3. 電子遷移率電洞遷移率
    4.
  4. 半導體電子遷移率
    5.
  5. 電子遷移率意義
    6.
  6. 電子遷移率溫度
    7.
  7. 電子遷移率單位
    8.
  8. 電子遷移率影響
    9.