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6H2SiC 反型层电子迁移率的Monte Carlo 模拟

模拟分析的结果反映了在6H - SiC 反型层. 电子输运过程中,库仑散射和表面粗糙散射主要决定了沟道. 迁移率的大小,在表面有效电场高于115 ×105V/ cm 的条件. 下,表面粗糙散射 ...

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