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用於形成氮化物半導體薄膜結晶之化學氣相沉積新技術

InN不僅在氮化物半導體中擁有最大值的電子遷移率，同時具備對應於近紅外 ... 密度，與過去傳統MOCVD所產製的結晶相比少了2個單位，約為3×10 9 cm -2 。

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