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比較四種開關元件的效率 - 電子工程專輯

它具有雙極電晶體的導通特性，但又像MOSFET一樣受電壓控制，IGBT也會受熱漂移的影響，但可以透過附加電路來減輕其影響。如今，碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN) ...

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