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SiC功率晶體的設計發展及驅動電壓限制 - 電子工程專輯

如上所述，SiC材料具有高臨界電場強度，當採用SiC做為高電壓功率晶體材料的主要考量之一，是在截止時能夠以矽材料1/10的磊晶層厚度達到相同的耐壓，但在 ...

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