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3300V/300mA 光耦合繼電器(SiC MOSFET), SMD6-5

碳化矽光耦合繼電器具備高崩潰電壓、高電場強度、亦具備高導熱能力，並確保其產品能於-40 °C to 125 °C ( -40°F to 257°F)以及各種惡劣環境下正常運作。

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