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硅晶圆中注入4.8MeV磷的激光退火激活 - 中国知网

【摘要】 对激活硅(Si)晶圆中高能注入磷(P)的激光退火方法展开研究。采用的P离子注入能量为4.8 MeV,在Si中的注入 ... 半导体激光退火原理[J]. 世界制造技术与装备市场.

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