在氮/氧/氮環境中,在400、600、800 和1000°C 的溫度下,通過濺射後氧化將沉積在矽上的塊狀鈰 ... 以氧化鈰為例,我們確定了常見的參數相關單電子方法的主要缺陷,例如 ...
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