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台积电(TSM.US)先进制程激荡35年 - 新浪财经

与40纳米ULP及55纳米ULP制程相较，新的ULL元件和ULL静态随机存取记忆体(Static Random Access Memory, SRAM)可以大幅降低功耗。 20纳米制程. 2014年， ...

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