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微電子65 奈米世代後銅薄膜阻抗係數之探討

首先觀察試片編號#A#之數據，此試片設計目的主要是探討晶界散. 射現象，實驗所得的阻抗係數與薄膜厚度關係圖，如圖4.3，從實驗數. 據中可發現當薄膜厚度為80 nm時，ρ值為 ...

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