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概論

µ = ，是表示單位電場強度下，所產生之載子漂移速度。 ... 矽半導體的材料能隙(Eg)及阻抗值是隨溫度上升而作何種變化？ (A)能. 隙變大，阻抗值變小(B)能隙與阻抗值均變 ...

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