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绝缘栅双极晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor

由于其非常高的脉冲额定值，第二代和第三代设备也可用于在粒子物理和等离子体物理等领域产生高功率脉冲，使其成为闸流管和触发火花隙等旧设备的绝佳替代品。它开始被取代。

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