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金屬氧化半導體場效電晶體

是在源極（Source）區與洩極（Drain）區的半導體基板表面覆蓋在一層薄薄的二氧化矽（SiO2）作為絕緣層，再把金屬沈積在氧化層上形成元件的閘極（Gate）而製成。

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