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1.1 環繞式閘極電晶體與多晶矽薄膜電晶體回顧

閘極 或是環繞式閘極(Gate-All-Around)都是目前改善短通道效應的方法[1,2,3]。與 ... 因此閘極電. 壓越負，或是汲極電壓增加，垂直電場越大， GIDL 漏電流就越高。

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