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MoS2電晶體閘極長度突破1nm以下- 電子技術設計 - EDN Taiwan

以目前的技術來看，MoS2電晶體利用原子層級厚度的MoS2材料來實現超薄的通道。但是，該MoS2通道通常是輸入電極和輸出電極所附著的水平材料層，因此對附著在 ...

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