JFET:利用閘極和源\汲極間pn接. 面間的空乏區寬度是逆向偏壓的. 函數,改變空乏區寬度則改變通. 道的寬度。 MOSFET:利用閘極的偏壓在MOS. 電容的半導體和氧化層介面處 ...
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