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金屬氧化半導體場效電晶體MOSFET

閘極 只要加上足夠的正電壓，即可在半導體內靠近氧化層的介面上，吸引足夠多的導電電子形. 成通道，使源極與汲極的n+ ... 負電荷來得小，因此空乏區寬度就不再變化了。

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