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功函數差（Work function difference ）

加閘極電壓，跨於氧化層及半導體的表面電位會改變： ... 加VDS使得EFn與EFp分開，半導體表面附近的能帶圖彎曲更大，故空乏區寬度越大。 小的汲極電壓使得能帶圖變成 ...

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